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您正在寻找一颗能征服2GHz高频、输出强劲且稳定的射频功率核心吗？PD20015S-E正是为您而来！这颗ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，能轻松为您提供高达15W的饱和输出功率，并以11dB的增益放大您的信号，确保无线传输更远、更清晰。

它采用高效的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您无需为温升过度担忧。高达40V的耐压和7A的电流能力，赋予了它强大的驱动适应性和可靠性，让您的通信基站、射频设备或测试仪器工作得更稳定、更高效。选择PD20015S-E，就是为您的系统注入一颗久经考验的强劲射频之心。

• 制造商产品型号：PD20015S-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：停产
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：2GHz
• 增益：11dB
• 电压-测试：13.6V
• 额定电流（安培）：7A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：350mA
• 功率-输出：15W
• 电压-额定：40V
• 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
• PD20015S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。