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还在为嵌入式系统寻找稳定高效的存储方案吗？让NAND01GW3B2AN6F来担当重任！这颗由ST意法半导体推出的1Gb并行NAND闪存芯片，能以30ns的高速访问时间，为您的大容量数据存储需求提供强劲动力。

它采用成熟的并行接口和128M x 8的架构，让您的系统能够轻松、高效地读写数据。其宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）支持特性，确保了在各种复杂应用环境下的卓越可靠性。无论是工业控制、通信设备还是需要稳定备货的长期项目，它都是您值得信赖的存储伙伴。

• 型号:NAND01GW3B2AN6F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND01GW3B2AN6F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。