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LET9070CB 零件图片(仅供参考)

LET9070CB
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LET9070CB 规格参数

还在寻找能同时驾驭高功率与高频率的射频解决方案吗?LET9070CB正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的80V/12A LDMOS射频功率晶体管,能在945MHz频率下稳定输出高达80W的功率,并带来16dB的卓越增益,让您的发射链路设计事半功倍。

它能让您的通信基站或射频能量设备轻松获得更远的覆盖范围和更强的信号穿透力。其坚固的M243封装确保了出色的热管理和长期可靠性,让您能够构建出高效、稳定且耐用的高性能系统,从容应对各种严苛应用挑战。

  • 型号:LET9070CB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M243
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:945MHz
  • 增益:16dB
  • 电压 - 测试:28 V
  • 额定电流(安培):12A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:400 mA
  • 功率 - 输出:80W
  • 电压 - 额定:80 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:M243
  • 供应商器件封装:M243
  • LET9070CB,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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LET9070CB 基本参数:

  • 电子零件型号:LET9070CB
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:RF MOSFET LDMOS 28V M243
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 点击此处查询LET9070CB的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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