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还在为寻找一颗能在960MHz频段驱动大功率输出的核心器件而烦恼吗？让LET9060STR来为您解决难题！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为高效能放大而生。它能让您轻松实现高达60W的射频功率输出，凭借17.2dB的高增益，显著简化您的驱动级设计，提升整个发射链路效率。

它采用坚固的PowerSO-10RF封装，优异的散热设计让您即使在28V电压、12A电流的严苛工作条件下也能保持稳定运行。无论是构建专业的通信基础设施，还是驱动高要求的工业射频应用，LET9060STR都能成为您系统中可靠的能量核心，助您打造性能卓越、运行稳定的高端设备。

• 型号:LET9060STR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:17.2dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:12A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• LET9060STR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。