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还在为射频功放设计的功率与效率瓶颈而烦恼吗？让LET20030C为您开启高效能射频新篇章！这颗基于LDMOS技术的射频功率晶体管，专为 demanding 应用打造，能在高达2GHz的频率下，稳定输出45W的强大功率，并带来13.9dB的优异增益。

它让您的系统设计事半功倍。高达80V的额定电压和9A的额定电流承载能力，赋予了它卓越的坚固性和可靠性。无论是驱动通信基站放大器，还是为工业射频能量系统提供核心动力，LET20030C都能让您轻松实现高性能、高稳定的信号放大，显著提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:LET20030C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M243
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:13.9dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:9A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:400 mA
• 功率 - 输出:45W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M243
• 供应商器件封装:M243
• LET20030C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。