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还在为驱动大功率MOSFET寻找一颗既强劲又可靠的“心脏”吗？L6747ATR正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，拥有高达3.5A的峰值输出电流，能瞬间驱动您的N沟道MOSFET，大幅提升开关速度，从而让您的电机驱动、电源转换系统运行得更快、损耗更低、整体能效更高。

它工作在5V至12V的电压下，逻辑接口兼容性强，设计接入轻松简单。其高达41V的自举电压和宽广的-40°C至125°C工作结温范围，更赋予了它应对工业严苛环境的卓越可靠性。选择L6747ATR，就是选择让您的功率级设计一步到位，轻松实现高效、紧凑且稳定的高性能解决方案。

• 制造商产品型号：L6747ATR
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：半桥
• 通道类型：同步
• 驱动器数：2
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：5V ~ 12V
• 逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：3.5A，-
• 输入类型：反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：41V
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：0°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：8-VFDFN
• L6747ATR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。