我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） L6569AD现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驱动IGBT和MOSFET、简化半桥电路设计的核心芯片吗？L6569AD正是您理想的解决方案。这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，拥有高达600V的自举电压和宽广的工作温度范围，让您的电源管理系统在工业变频器、UPS等应用中表现更加稳健可靠。

它内置双通道同步驱动，提供170mA灌入和270mA拉出的强劲峰值电流，能确保功率器件快速、干净地开关，大幅提升整体能效并减少热损耗。其紧凑的8-SOIC表面贴装封装，让您能轻松实现高密度板级设计，加速产品开发进程。

• 型号:L6569AD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6569AD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。