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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压半桥拓扑的驱动核心吗？L6569A正是为您而来。这颗芯片能高效驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高达600V的自举电压和强劲的峰值输出电流，让您能自信应对电机控制、电源转换等应用中的高压侧驱动挑战，显著提升系统效率和可靠性。

它内置智能的RC输入电路，简化了您的控制接口设计。宽泛的供电电压（10V-16.6V）与极端工作温度范围（-40°C至150°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的产品设计更具韧性和市场竞争力。选择L6569A，就是为您的功率系统选择了一位值得信赖的“指挥官”。

• 型号:L6569A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-迷你型 DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
• L6569A，ST（意法半导体）产品一站式供应商。