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还在为高压半桥驱动的效率与可靠性烦恼吗？L6494LDTR正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的高压栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，它能以高达2.5A的强劲拉电流和2A的灌电流，实现纳秒级的快速开关，让您的电源转换或电机控制应用获得前所未有的高效能与低损耗。

它集成了完备的保护机制和宽范围工作电压（10V-20V），确保系统在复杂环境下稳定运行。选择L6494LDTR，意味着您选择了一颗能让设计更简洁、性能更出众、开发更轻松的核心芯片，助您快速将创意转化为可靠的产品。

• 型号:L6494LDTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2.5A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6494LDTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。