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还在为高压半桥驱动的设计挑战而头疼吗？让L6395DTR为您提供一站式的优雅解决方案！这颗芯片能为您高效驱动IGBT和N沟道MOSFET，其强大的峰值输出电流（拉出430mA，灌入290mA）和极快的开关速度（典型上升/下降时间75ns/35ns），让您的功率转换效率跃升至新高度。

它专为严酷环境打造，工作结温范围宽达-40°C至150°C，并拥有高达600V的高压侧耐压能力，确保系统在工业电机驱动、UPS等高压离线应用中的长期稳定运行。采用表面贴装的8-SOIC封装，让您轻松实现高密度板级设计，大幅提升产品的市场竞争力。

• 型号:L6395DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6395DTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。