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还在为高压半桥驱动设计而头疼吗？让意法半导体的L6395D来解放您的创造力！这颗强大的栅极驱动器芯片，专为高效、可靠地驱动IGBT和MOSFET而设计，它能将复杂的逻辑信号转化为强劲、精准的栅极驱动电流，确保您的功率开关管快速、平稳地开启与关断。

它内置了独立的高低压侧驱动通道，支持高达600V的浮动电压，让您轻松构建半桥拓扑。其优异的开关特性（典型上升/下降时间仅75ns/35ns）能大幅降低开关损耗，提升系统整体效率。无论是面对工业电机控制还是电源转换的挑战，L6395D都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:L6395D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6395D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。