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还在为驱动高压半桥电路寻找一颗既强悍又精巧的“指挥官”吗？L6388ED013TR正是您期待的答案。这款来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为高效控制IGBT和N沟道MOSFET而设计，它能以高达650mA的峰值拉电流和400mA的灌电流，让您的功率开关管实现迅猛且干净的开启与关断，显著提升电源系统的整体效率。

它为您轻松解决了高压侧驱动的难题。凭借高达600V的自举电压能力，它让高压半桥拓扑的设计变得前所未有的简洁可靠。同时，其70ns和40ns的典型开关速度，确保您能实现更高频率的功率转换，从而优化磁性元件尺寸，助力产品小型化。无论是面对-40°C的严寒还是125°C的高温，它都能稳定工作，是您打造耐用、高效能产品的理想核心部件。

• 型号:L6388ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6388ED013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。