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还在为驱动电路的设计复杂度和可靠性担忧吗？让L6387ED013TR来为您简化一切。这颗来自ST意法半导体的高性能半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，它能以高达650mA的强劲输出能力，确保您的功率开关器件快速、干净地动作，从而大幅提升电源转换或电机驱动的效率。

它集成了完备的保护功能和高达600V的电压耐受能力，让您的系统在面对电压尖峰和恶劣环境时依然稳如泰山。紧凑的8引脚SOIC封装让您轻松实现高密度板级设计，而宽广的工作温度范围则保证了从工业到消费类产品的广泛应用可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且易于使用的驱动核心。

• 型号:L6387ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6387ED013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。