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还在为驱动高压半桥电路而烦恼吗？L6387D正是为您简化设计、提升性能而生的智能栅极驱动器。它能轻松驾驭IGBT和N沟道MOSFET，凭借高达600V的自举电压能力和强劲的650mA/400mA峰值输出电流，确保您的功率开关快速、可靠地动作，大幅提升系统效率与响应速度。

这颗芯片能为您构建一个坚固的驱动核心。其反相输入逻辑与宽范围逻辑电压兼容性，让接口设计变得异常简单；同时，卓越的50ns/30ns开关速度，直接帮助您降低开关损耗。无论是面对严苛的工业温度环境，还是追求紧凑的板级布局，L6387D都能以8-SOIC的小巧封装，为您提供高效、稳定的解决方案，让您的电源设计事半功倍。

• 型号:L6387D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6387D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。