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还在为驱动高压半桥电路寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？L6385正是您期待的答案。这颗经典的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，能轻松处理高达600V的电压，并以强劲的650mA/400mA峰值输出电流，确保您的功率开关快速、坚决地动作。

它让您的设计事半功倍。极短的开关时间（典型值50ns/30ns）大幅降低了开关损耗，直接提升系统整体能效。其宽泛的逻辑电平兼容性和坚固的通孔封装，简化了电路连接，增强了在工业温度范围（-40°C ~ 150°C TJ）内的可靠性。选择L6385，就是为您的电机驱动、电源转换等应用注入一颗久经考验、性能卓越的驱动核心。

• 型号:L6385
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-迷你型 DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
• L6385，ST（意法半导体）产品一站式供应商。