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想象一下，在您的电源或电机驱动设计中，需要一颗能轻松驾驭500V高压和近20A大电流的开关核心？IRFP460正是为此而生。它采用ST先进的PowerMESH II技术，凭借其低至270毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗N沟道MOSFET不仅拥有强大的电流电压处理能力，其优化的栅极电荷特性还能帮助您简化驱动电路设计，实现更快速的开关切换。无论是提升工业设备的能效，还是确保关键电源的稳定可靠，IRFP460都能让您以经典而成熟的设计，从容应对高功率挑战。

• 型号:IRFP460
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:128 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:220W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• IRFP460，ST（意法半导体）产品一站式供应商。