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您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“中坚力量”？IRF830正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和4.5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的严苛挑战。

它采用先进的PowerMESH技术，实现了低至1.5欧姆的导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更高的工作效率，直接帮助您优化系统能效。其坚固的TO-220AB封装确保了出色的散热和机械可靠性，让您的设计在长期运行中稳如磐石。选择IRF830，就是为您的功率电路选择一个高效、可靠的开关核心。

• 型号:IRF830
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:610 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF830，ST（意法半导体）产品一站式供应商。