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还在为寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与低损耗的可靠开关而费神吗？让IRF640FP来为您解决难题！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和18A的持续电流处理能力，是您构建高效电源转换和电机驱动系统的理想心脏。

它能让您轻松实现能量的高效控制。其关键优势在于极低的导通电阻（仅180毫欧@9A,10V），这意味着在开关导通时能量损耗更小，发热更低，从而显著提升整体系统效率。配合TO-220FP封装带来的出色散热性能，即使在高负荷下也能稳定运行，让您的设计更可靠、更耐用。

• 型号:IRF640FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• IRF640FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。