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还在为功率转换电路的效率瓶颈而困扰吗？让IRF634来为您破局！这颗N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的秘密武器。它拥有250V的高耐压和8A的强电流处理能力，配合其低至450毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它采用成熟的TO-220AB封装，安装简便，散热优异。无论是用于开关电源、DC-DC转换器，还是电机调速、照明控制，IRF634都能以稳定的性能和出色的可靠性，助您轻松构建高效、耐用的电力电子核心电路，大幅提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:IRF634
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF634，ST（意法半导体）产品一站式供应商。