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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？让IRF630FP来改变这一切！这颗N沟道MOSFET是您实现高效电能控制的秘密武器，它能轻松担当起开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。凭借200V的漏源电压和9A的连续电流处理能力，它让您能够从容应对中高功率场景，确保能量传输强劲而稳定。

更令人惊喜的是，其先进的MESH OVERLAY II技术带来了极低的导通电阻，显著减少了开关过程中的功率损耗，直接提升了您的整机效率。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，配合宽达-65°C至150°C的工作结温范围，让您的设备即使在苛刻环境下也能持续可靠运行。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的轻松与自信。

• 型号:IRF630FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• IRF630FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。