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ESM3030DV 零件图片(仅供参考)

ESM3030DV
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ESM3030DV 规格参数

还在为驱动大功率负载而设计复杂的电路吗?ESM3030DV将彻底改变您的设计体验。这颗来自ST意法半导体的NPN达林顿晶体管,集成了高达100A的电流承载能力和300V的耐压水平,让您能够轻松驾驭电机驱动、电源转换等重型应用。

它高达300的电流增益,意味着您仅需微小的基极驱动电流,即可高效控制庞大的集电极电流,显著简化前级驱动电路的设计难度,提升整体系统效率。采用坚固的SOT-227-4底座安装封装,散热性能优异,结合225W的最大功耗和150°C的工作结温,确保您的设备在严苛环境下也能稳定、可靠地长期运行。

  • 型号:ESM3030DV
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):300 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.4A,85A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 85A,5V
  • 功率 - 最大值:225 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • ESM3030DV,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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ESM3030DV 基本参数:

  • 电子零件型号:ESM3030DV
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 点击此处查询ESM3030DV的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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