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还在为电机驱动系统的效率和可靠性头疼吗？让E-L6571BD013TR来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，是您驾驭IGBT和MOSFET的得力助手。它能轻松将您的控制信号，转化为强劲、精准的驱动功率，确保功率开关管高效、安全地动作，从而让您的电机运转更平稳，电源转换更高效。

凭借其高达600V的耐压和宽范围供电，它能让您的设计从容应对各种电压波动。其优化的峰值输出电流，确保了快速的开关响应，有效降低损耗。无论是面对严苛的工业环境还是追求静音的家电应用，它都能凭借宽广的工作温度范围和稳定的性能，助您一臂之力，轻松构建出更可靠、更节能的驱动解决方案。

• 型号:E-L6571BD013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• E-L6571BD013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。