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您正在寻找一颗能高效、可靠地驱动功率MOSFET或IGBT的芯片吗？E-L6385D013TR正是您理想的解决方案。这款半桥栅极驱动器能轻松将微处理器的低压控制信号，转换为足以快速、彻底地开关功率器件的高压驱动信号，从而让您的电机控制、电源转换等应用运行得更顺畅、更节能。

它拥有高达650mA的拉电流和400mA的灌电流输出能力，结合极短的开关时间，能显著降低功率器件的开关损耗，提升系统整体效率。其高达600V的自举电压和宽工作温度范围，更确保了它在各种复杂应用环境下的稳定性和耐用性，是您构建高性能电力电子系统的得力助手。

• 型号:E-L6385D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• E-L6385D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。