我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） BUZ10现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能轻松驾驭中大电流开关任务的“核心引擎”吗？BUZ10正是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有50V耐压和高达23A的连续电流承载能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值仅70毫欧@14A,10V），这意味着在开关和导通状态下，它能显著减少功率损耗，直接为您带来更低的发热和更高的系统整体效率。

无论是构建高效的DC-DC电源、驱动电机，还是管理功率分配，BUZ10都能让您的设计事半功倍。其坚固的TO-220AB封装确保了出色的散热性能，而宽广的工作温度范围（最高结温175°C）则赋予了它应对严苛环境挑战的底气。选择它，就是选择了一份让功率控制更稳定、更可靠的承诺。

• 型号:BUZ10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• BUZ10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。