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A2P75S12M3 零件图片(仅供参考)

A2P75S12M3
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A2P75S12M3 规格参数

还在为高功率应用中的效率与散热问题烦恼吗?让A2P75S12M3为您带来变革!这颗1200V/75A的三相IGBT模块,采用先进的沟槽型场截止技术,能显著降低开关损耗和导通压降,让您的变频器、电机驱动或UPS系统运行得更冷静、更高效。

它集成了完整的反相器桥臂与NTC热敏电阻,为您省去复杂的分立器件布局,简化设计。宽广的工作温度范围(-40°C ~ 150°C TJ)和稳健的模块封装,确保它在严苛的工业环境中依然稳定可靠。选择A2P75S12M3,就是选择用一颗高度集成的“动力引擎”,轻松驾驭高功率挑战,大幅提升您终端产品的性能和市场竞争力。

  • 型号:A2P75S12M3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ACEPACK 2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A
  • 功率 - 最大值:454.5 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:ACEPACK 2
  • A2P75S12M3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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A2P75S12M3 基本参数:

  • 电子零件型号:A2P75S12M3
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 点击此处查询A2P75S12M3的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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