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A2C50S65M2-F 零件图片(仅供参考)

A2C50S65M2-F
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A2C50S65M2-F 规格参数

还在为复杂的功率转换设计而烦恼吗?让A2C50S65M2-F来为您简化一切。这颗650V/50A的IGBT模块,集成了完整的三相反相器桥臂,让您能够轻松构建高效、紧凑的电机驱动或电源逆变系统。其先进的沟槽型场截止技术,确保在高压大电流下依然保持极低的导通损耗,直接为您提升整机效率,降低散热负担。

更令人安心的是,模块内部集成了NTC热敏电阻,让您可以实时监控核心温度,实现更精准的热管理和系统保护。从-40°C到150°C的宽广工作温度范围,让它能够从容应对各种严苛环境。选择它,就是选择了一个高效、可靠且易于集成的功率解决方案,让您的产品开发事半功倍,性能脱颖而出。

  • 型号:A2C50S65M2-F
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ACEPACK 2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 2
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
  • 功率 - 最大值:208 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:ACEPACK 2
  • A2C50S65M2-F,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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A2C50S65M2-F 基本参数:

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