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还在寻找一颗能同时兼顾高性能、高集成度与卓越可靠性的功率核心吗？A2C35S12M3-F正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的IGBT模块，集成了三相全桥逆变与制动单元，拥有1200V/35A的强劲动力，采用先进的沟槽场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电机驱动、变频或逆变系统运行得更高效、更凉爽。

它内置NTC热敏电阻，提供精准的温度监控，确保在宽广的温度范围内稳定工作。紧凑的ACEPACK2封装让您的设计更灵活，轻松实现小型化与高功率密度。选择A2C35S12M3-F，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且易于管理的“动力心脏”，助您轻松应对各种严苛的工业应用挑战。

• 型号:A2C35S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 功率 - 最大值:250 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
• A2C35S12M3-F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。