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A2C25S12M3-F 零件图片(仅供参考)

A2C25S12M3-F
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A2C25S12M3-F 规格参数

想象一下,为您的工业电机驱动或电源系统注入一颗兼具强大动力与高效节能的核心。A2C25S12M3-F正是为此而生。这颗1200V/25A的IGBT模块,采用先进的沟槽型场截止技术,能显著降低导通损耗,让您的设备运行更凉爽、更高效,直接将电能转化为强劲可靠的动力输出。

它集成了三相全桥和制动单元,为您提供了一个高度集成的“交钥匙”功率解决方案,让您轻松简化电路设计,节省布局空间,加速产品开发进程。同时,内置的NTC热敏电阻让温度管理变得智能而轻松,确保系统在宽广的温度范围内稳定工作。选择它,就是选择让复杂变简单,让高效成为标准。

  • 型号:A2C25S12M3-F
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ACEPACK 2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A
  • 功率 - 最大值:197 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
  • 输入:三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:ACEPACK 2
  • A2C25S12M3-F,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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A2C25S12M3-F 基本参数:

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