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还在为工业设备的功率转换效率与散热难题而烦恼吗？让A1P50S65M2为您提供一站式的高效解决方案。这颗650V/50A的IGBT模块，采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的变频器、伺服驱动器或UPS系统运行得更冷静、更节能。

它集成了完整的三相反相桥臂和温度监控NTC，极大简化了您的电路布局与热管理设计。您只需专注于系统创新，而将高效可靠的能量转换任务，放心交给这颗强大的“动力心脏”。

• 型号:A1P50S65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 功率 - 最大值:208 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P50S65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。