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还在寻找那颗能同时兼顾高效、可靠与紧凑设计的功率核心吗？A1P35S12M3-F正是您的理想之选。这颗1200V/35A的IGBT模块，采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低开关与导通损耗，让您的电机驱动、变频或电源系统运行得更冷静、更高效，直接帮您节省宝贵的能源。

它集成了完整的三相反相桥臂和NTC温度监测，以紧凑的模块化封装，让您轻松实现高功率密度设计。无论是应对-40°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，极大提升了您终端产品的环境适应性和长期可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而智慧的动力之心。

• 型号:A1P35S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 功率 - 最大值:250 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P35S12M3-F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。