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还在为复杂的功率电路布局和散热设计烦恼吗？让A1C15S12M3来改变这一切！这颗来自ST意法半导体的智能功率模块，集成了1200V/15A的沟槽场截止型IGBT、三相桥式整流器及制动单元，为您提供一站式的三相逆变解决方案。它能让您轻松构建高效、紧凑的电机驱动或电源系统，大幅缩短开发周期。

得益于其卓越的性能，您将获得更低的开关与导通损耗（Vce(on)仅2.45V），显著提升整机能效。模块内置的NTC热敏电阻，让温度监控变得简单直接，配合其坚固的模块封装和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ），确保您的产品在各种恶劣环境下都能稳定、可靠地长期运行。选择A1C15S12M3，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:A1C15S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 功率 - 最大值:142.8 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1C15S12M3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。