我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） A1C15S12M3-F现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高集成度与出色热管理的驱动核心吗？A1C15S12M3-F正是为您而来的答案。这颗由ST意法半导体打造的1200V/15A IGBT模块，内部集成了完整的三相反相器桥路和制动单元，让您无需复杂的外围电路，即可轻松构建高效、紧凑的电机驱动或功率转换系统。

它采用先进的沟槽型场截止技术，提供低至2.45V的导通压降，显著降低开关损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。模块内置的NTC热敏电阻和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ），为您提供实时的温度保护，确保系统在各种环境下都能稳定可靠地工作。选择A1C15S12M3-F，就是选择了一条提升产品性能与可靠性的快速通道。

• 型号:A1C15S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 功率 - 最大值:142.8 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1C15S12M3-F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。